存储芯片年底走势分化：DDR4为何还在猛涨？

12月10日集邦科技（TrendForce）发布最新报告显示，临近年底，不同类型DRAM产品走势出现分歧：DDR5与DDR3在前期大幅上涨后迎来小幅回调，而DDR4尤其是16Gb产品涨势依旧强劲；与此同时，NAND Flash现货市场在供应端支撑下持续刷新历史高点，行业成本传导逻辑全面兑现。

DRAM市场的分化走势尤为值得关注。DDR5与DDR3本周的温和回落，核心源于部分现货交易商的年底获利了结操作，属于短期市场行为。集邦科技明确指出，这一调整并未改变行业整体供应紧张的核心格局——当前全球存储巨头纷纷将产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，大幅压缩成熟制程产能，直接导致DDR4等产品出现结构性短缺，这一现状至少将延续至2026年上半年。

作为当前市场的“领涨先锋”，DDR4价格涨势未减，其中16Gb颗粒需求尤为强劲，成为推动整体价格上行的核心动力。数据显示，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均现货价，从12月3日的16.729美元攀升至12月9日的17.064美元，单周涨幅达2.00%。更关键的是，集邦科技强调，短期的市场波动并不会影响DRAM合约价未来持续大幅上涨的趋势，行业高景气度有望延续。

NAND Flash市场则延续高位运行态势。尽管本周涨势较此前有所放缓，但供应商在年底前并未增加晶圆投放，供应端收紧成为价格坚挺的关键支撑。即便当前市场活动偏弱，晶圆现货价仍逆势刷新历史高点：12月9日512Gb TLC晶圆现货价上涨0.28%，报9.634美元（约合68.1元人民币）。业内分析认为，随着AI服务器、数据中心需求持续爆发，NAND Flash的结构性机会将更加突出，大容量、高规格产品涨幅或进一步扩大。

从行业大背景来看，本轮存储涨价潮已持续超过半年，打破了传统3-4年的行业周期规律。核心驱动力已从初期的产能收缩、避险备货，切换为AI基建带来的刚性需求增长，而巨头的产能战略迁移进一步加剧了成熟制程产品的供需缺口，这也为DDR4的持续领涨和NAND的高位运行奠定了坚实基础。

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